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26NM60N-VB是一款单N沟道MOSFET,选用SJ_Multi-EPI技能,具有高电压和高电流特性。它选用TO247封装,适用于高功率使用场景。这款MOSFET具有低导通电阻和高耐压特性,适用于要求高效率和高可靠性的电源办理和功率操控使用。
- **开关电源**:因为其高耐压和低导通电阻,适用于开关电源中的功率开关,供给高效率的电源转化。
- **太阳能逆变器**:可用于太阳能逆变器中的功率开关,供给高效的太阳能电能转化。
- **工业电机操控**:在工业操控办理体系中,可用于工业电机操控器,供给高效的电机操控。
- **UPS体系**:适用于UPS体系中的功率开关,保证高效率的电池备份电源。
- **电动汽车操控器**:在电动汽车操控办理体系中,可用于电动汽车驱动器,供给高效的电动汽车操控和动力输出。
- **充电桩**:适用于电动汽车充电桩中的功率开关,供给高效的充电功能。
经过其高耐压和高电流特性,26NM60N-VB适用于多种高功率使用场景,为工程师和设计者供给高功能的电源办理和功率操控解决方案。
